Товар добавлен в корзину
ЧП Вико-Техно
Адрес: 2-ой Пер.Васнецова, д.11, каб. 7а. 220026 Минск,
53.866661 27.621839
+375 17 296 43 09
+375 44 564 01 13
+375 29 861 18 28
www.viko-t.by
09:00
18:00
пн - пт

Cайт не является интернет-магазином. C физ. лицами не работаем. Цены указаны с НДС.

  • Главная >>
  • Новости
  • >>
  • Western Digital начинает опытное производство 96-слойной 3D NAND
  • Western Digital начинает опытное производство 96-слойной 3D NAND

    Как известно, в этом году компании Western Digital и Toshiba — партнёры в трёх совместных предприятиях по разработке и производству памяти NAND — решали крайне важную задачу. Эта задача заключалась в том, продавать или нет подразделение Toshiba по выпуску памяти NAND. Компания Western Digital была против, утверждая, что это нарушает её права как партнёра, а Toshiba была всеми руками за, поскольку это спасало её от потенциального банкротства. Наконец, спор урегулирован. Верх, судя по всему, взяла компания Toshiba. Во всяком случае, со стороны это выглядит именно так. Подразделение Toshiba Memory будет продано, и Western Digital с этим вынуждена согласиться без очевидной выгоды для себя.

    Одновременно с анонсом о заключении мирового соглашения с Toshiba компания Western Digital собрала пресс-конференцию, информация на которой вышла за рамки урегулирования спора. В частности, Western Digital рада сообщить, что производство 3D NAND 4-го поколения (партнёры называют её BiCS4) стартует на этой неделе. Следует понимать, что речь идёт об образцах продукции. Анонс BiCS4 состоялся нынешним летом, а массовое производство 3D NAND нового поколения стартует в течение 2018 года. Вероятнее всего, это произойдёт ближе к середине года.

    Память BiCS4 будет характеризоваться двумя отличительными особенностями. Во-первых, она будет 96-слойной. Во-вторых, запись данных в ячейки BiCS4 будет как трёхбитовой TLC, так и четырёхбитовой QLC. Судя по всему, со следующего года четырёхбитовая ячейка начнёт массово проникать в SSD, тогда как до этого она преимущественно использовалась для флешек с интерфейсом USB и для карточек памяти. Аналогичные производственные планы также обнародовала компания Samsung. Это приблизит выход 1-Тбит чипов 3D NAND. К счастью, память 3D NAND обладает достаточным объёмом ячейки для надёжного хранения заряда, так что 3D NAND QLC обещает оказаться более устойчивой к износу, чем NAND QLC.

    Также в Western Digital подчеркнули сложности по освоению новых поколений 3D NAND. Если обычное снижение масштаба техпроцесса 2D NAND позволяло сэкономить за год от 25 % до 35 % затрат на производство, то переход от 3D NAND одного поколения к другому обещает экономию от 15 % до 25 %. К прежним темпам экономии уже не вернуться, сетуют в Western Digital. Но деваться-то некуда. Более того, в компании идут к производству более передовой памяти семимильными шагами. Так, вместо запланированной доли 64-слойной BiCS3 к концу 2017 года на уровне 75 % доля этой памяти в NAND-продукции Western Digital сегодня превысила 90 %. В  то же время 3D NAND составляет 65 % в потоке всей флеш-продукции компании, так что на долю 2D NAND всё ещё приходится порядка трети производства. В новом году Western Digital обещает ещё сильнее сократить выпуск 2D NAND, но быстро это сделать не получится.


    Создание и обслуживание сайта - Аритэта